二、較重資產(制造/設備/封測類)領域：關注全球核心科技領域分叉變局中加速發展自主可控的“自頂向下”的成長邏輯，優先關注戰略龍頭品種及高增長產業鏈配套公司。國內集成電路產業發展任重道遠，建議投資人關注長期成長邏輯和國產化時代機遇。
(2)下游需求領域廣泛，與經濟周期相關度高。從行業發展歷程來看，行業經歷“從 IDM 到垂直分工”的分工細化以及“美-日-韓臺-大陸”的規模產業轉移。20 世紀 60 年代集成電路產業發源時美國引領行業，20 世紀 80 年代日本在 DRAM 領域實現對美反超，20 世紀 90 年代個人電腦普及韓國與中國臺灣同時產業崛起，21 世紀以來中國大陸憑借手機等終端廣闊市場和消費電子下游集群迅猛發展。此外，從海外龍頭公司發展歷程看，注重技術路徑升級和快速迭代是優質公司穿越周期發展的核心邏輯。
(1)設計領域：部分細分領域大陸廠商開始具備全球競爭力，高性能領域國外龍頭仍領先。主流的高性能數字、模擬芯片方面競爭壁壘高，中國大陸僅有華為海思進入全球前十;在細分市場(如 CIS、TWS、NOR Flash、生物特征識別等)領域，中國大陸部分廠商進入全球前三，更多細分領域公司不斷涌現，逐步實現“農村包圍城市”。
(2) 制造領域：贏家通吃，任重道遠，中國臺灣領先，大陸加速追趕。先進制程方面臺積電一家獨大(2020 年全球市場占比 53.9%)，大陸廠商在規模、盈利能力、技術等方面持續逼近臺聯電等二線)存儲：韓美壟斷，中國大陸兩項目加速突圍。存儲產業韓國廠商最領先，持續資本投入和技術快速迭代是關鍵，國內重點關注長江存儲、長鑫存儲等。
從海外經驗諫言國內產業發展和投資策略。從海外經驗觀察，中國半導體處在奮起追趕的發展黃金窗口期，產業發展任重道遠。應尊重行業發展客觀規律，創造良好的基礎教育以及創業、經營環境，避免急功近利。從細分行業看：
(1) 制造等領域：應學習國外經驗持續逆周期投資，中長期看好國內龍頭企業。制造、設備材料、封測類公司重資產屬性強，需要長期資金投入，全球龍頭穩固，需經歷較長時間追趕，類比海外經驗，此類領域需集中資源扶持加強產業扶持，并不單純從盈利角度衡量得失。應當重點關注產業基金扶持的龍頭企業，對此類產業投資適合中長期持有。
(2) 設計等輕資產領域：應學習友邦經驗，利用大陸消費電子等產業集群優勢“良性內循環”，鼓勵終端廠商使用國產芯片;以市場導向，合理扶持，避免過度保護，維護國內公司公平競爭實現優勝劣汰和快速發展。預計 IC 設計仍將是中國未來 10 年成長最蓬勃的半導體領域，下游需求將顯著提升且催化國產替代明確需求。從市場充分良性競爭中誕生的設計公司更具備活力和長期生命力，應鼓勵下游積極推進國產化替代，引導良性市場競爭，避免過度扶持。投資角度建議重點關注具備全球競爭力的細分市場龍頭公司。
近三十多年來半導體行業競爭格局出現了顯著變化。我們統計了 ICinsights 所公布的歷史半導體企業 Top10 榜單，榜單可以體現出全球半導體市場格局的更替：美國廠商自始至終都在榜單中占有重要地位;日本廠商在 1985 年占 10 家中的 5 家，但到 2020 年已沒有日本廠商上榜;1985 年榜單中并沒有韓國廠商出現，但隨后的三十多年間以三星為代表的韓國企業排名不斷提升;中國臺灣的臺積電在 2016 年~2020 年也出現在榜單之中。
當今各國半導體產業分別在如下領域具有優勢：美國在 IC 設計、制造、設備方面具有優勢。IC 設計方面，美國眾多創新核心公司如高通、博通、英偉達、蘋果等把控了產業的頂端，同時擁有英特爾、美光科技、德州儀器、安森美等 IDM 廠商，在設備方面擁有應用材料、拉姆研究、科天、泰瑞達等頭部廠商。韓國在制造領域具有優勢，主要體現在存儲芯片、晶圓代工等方面，代表廠商有三星電子、SK 海力士等。中國臺灣在晶圓代工、設計、封裝測試領域具有優勢，代表廠商有臺積電、聯電、聯發科、日月光等。日本及歐洲主要在材料和設備、汽車電子領域具有優勢，代表廠商有 SUMCO、東京電子、ASML、瑞薩電子、意法半導體、恩智浦等。
20 世紀 50 年代，美國為集成電路產業發源地，是行業傳統領導者。1947 年晶體管誕生于美國，1958 年集成電路誕生，硅谷孵化了眾多早期半導體公司。美國長期保持領先的主要原因為：(1)長久的技術積累和持續的技術研發樹立壁壘;(2)游戲規則、框架、標準的制定者，主導行業發展方向;(3)持續產業并購，鞏固領先地位。
第一次產業轉移，20 世紀 70 年代，集成電路制造由美國向日本轉移。DRAM 存儲器是日韓產業發展的重要切入點，20 世紀 70 年代，以英特爾為首的美國廠商是 DRAM 領域的霸主，20 世紀 80 年代日本在 DRAM 領域實現對美國的反超，份額一度達到 80%，實現超越的主要原因為：(1)產官學結合的集中式技術研發;(2)低價質優的市場競爭策略。但 20 世紀 90 年代起日本 DRAM 份額一路下滑，2000 年后份額已不足 20%，走向衰落的主要原因為：(1)日美貿易戰下政府妥協簽訂的相關半導體協定帶來惡劣發展環境，且政府后期降低產業支持;(2)對下游及產業模式轉變缺乏敏感度，無法適應下游市場的快速變化，錯過個人電腦及互聯網大發展，被韓國廠商逐步超越。
第二次產業轉移，20 世紀 90 年代個人電腦普及，韓國與中國臺灣同時產業崛起。以 DRAM 存儲器為契機，產業轉向韓國三星、海力士等廠商;晶圓代工制造則在中國臺灣興起，臺積電、聯電等廠商崛起。韓國產業崛起的主要原因為：(1)政府制定詳盡的發展綱領并以資金支持;(2)資本雄厚的財閥進行持續的逆周期投入。中國臺灣代工行業崛起的主要原因為：(1)抓住全球化浪潮開辟全新代工商業模式，積極參與全球分工;(2)海外人才回歸帶來技術能力突破。
美國在數字芯片和模擬芯片設計方面領先。高端數字芯片方面，CPU 是占主導地位的通用數字芯片，英特爾和 AMD 這兩家美國公司長期壟斷筆記本電腦、臺式機和服務器的 CPU 市場;GPU 長期以來一直被用于圖形處理，近些年已經成為訓練人工智能算法最常用的芯片，美國壟斷了 GPU 的設計市場，英偉達和 AMD 這兩家美國公司主導著獨立 GPU 市場，英特爾也在開發獨立 GPU。美國公司幾乎占領了整個 FPGA 設計市場，主要公司包括賽靈思、Altera(英特爾收購)、Lattice 等。模擬芯片設計方面，美國德州儀器產品覆蓋范圍最全，2019 年市場份額約 20%，其次為美國 ADI 公司。2019 年半導體設計公司排名中，前十名有六家為美國公司，中國大陸僅有華為海思上榜，但目前仍受美國制裁。
半導體制造方面，美國具有一流梯隊領先優勢。英特爾的 10nm 節點芯片規格可與臺積電的 7nm 節點芯片競爭;Global Foundries 作為晶圓代工廠，具備 12nm 特征尺寸先進節點;德州儀器、ADI、美光等公司以 IDM 模式為主，具備領先的模擬芯片、存儲芯片制造能力。
EDA 工具以及核心 IP 仍然由美國占主導地位。在芯片 EDA 設計工具方面，美國 Cadence 和 Synopsys 占有重要行業地位，自 1991 年開始美國 Cadence 已連續在國際 EDA 市場中銷售業績穩居第一(中美貿易爭端中 Cadence 曾停止對中興的服務)。此外，專注于核心嵌入式處理器 IP 的 ARM 公司(總部位于英國而被日本軟銀擁有)，目前正在出售給美國英偉達(進程中)，ARM 架構的 CPU 內核是世界上大多數智能手機處理器的基礎，該交易若通過監管機構審查，將擴大美國在核心 IP 領域的領先優勢。
20 世紀 40 至 50 年代半導體從實驗室走出，產業發源于美國。1947 年美國貝爾實驗室的肖克利等人發明了世界上第一個點接觸型晶體管;1952 年德州儀器涉足半導體業務; 1955 年硅谷成立第一家半導體公司肖克利實驗室，1957 年肖克利實驗室出走的八位核心成員建立了仙童半導體(Fairchild);仙童半導體為硅谷奠定了行業基礎和風險投資的創業模式，后續多家知名半導體公司均從仙童半導體走出。
20 世紀 60 年代，英特爾、AMD 等公司成立，硅谷風險投資的創業模式興起。1959 年集成電路發明，1968 年來自仙童半導體的羅伯特諾伊斯、高登摩爾、安迪葛洛夫共同創立了英特爾公司，1969 年來自仙童半導體的杰里桑德斯創辦了 AMD 公司。美國早期半導體公司誕生時期，大多是從實驗室中走出投入商業化，均采用設計制造封裝一體的 IDM 模式，其優點在于內部資源整合優勢，從 IC 設計到制造所需時間較短，同時市場參與壁壘也非常高，得以快速成長并進行資本、技術積累。這些企業現今依舊是半導體行業中的傳統龍頭。
20 世紀 70~80 年代個人電腦問世，帶動處理器和 DRAM 逐步成為主力產品。美國軍事及航天計劃的需求為半導體提供了最早的市場，20 世紀 70 年代，美國集成電路企業近一半的產品被軍工部門所購買。1971 年，英特爾推出了全球第一個微處理器 4004，1978 年，研制出 16 位 8086 處理器，從此成為個人電腦的標配。20 世紀 80 年代，面對日本廠商在 DRAM 市場日益激烈的競爭，英特爾停止 DRAM 內存業務，專心聚焦處理器業務。下游需求的擴張帶動行業進入快速成長期。
20 世紀 90 年代，多媒體和移動通信需求興起，產業分工日趨完善，眾多 Fabless 廠商嶄露頭角，如英偉達、高通等。伴隨著臺積電等晶圓代工廠的興起，20 世紀 80 年代~90 年代成立的半導體公司多為 Fabless 模式。例如英偉達面向新興的多媒體顯示技術推出 GPU 芯片，而高通則面向移動通信需求，成為日后的移動處理器和基帶龍頭廠商。
英特爾發展啟示：伴隨 PC 時代成長，游戲規則制定確立領軍地位。英特爾創始人為技術出身，以研究開發為導向，成為技術領先龍頭。英特爾創始人之一高登摩爾于 1968 年提出摩爾定律，即當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔 18-24 個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。這預測了集成電路產業發展將每年成倍以指數形式增長。1970 年英特爾推出第一片 DRAM，1971 年英特爾推出 SRAM、EPROM 和第一片商用微處理器 4004。1980 年 IBM PC XT 問世，此后微型計算機發展迅猛，IBM PC 的崛起使得 Wintel(Windows+Intel)模式占據 PC 時代市場半壁江山，英特爾采用的 x86 指令集成為 PC 標配，英特爾也積極主導制定 PC 行業各類行業標準，使其在 PC 中核心地位長期難以動搖，造就了英特爾長期的 CPU 霸主地位。
高通發展啟示：伴隨移動互聯時代崛起，憑借標準制定構建壁壘。高通公司(Qualcomm)于 1985 年成立，由前麻省理工學院(MIT)教授艾文雅各布聯合另外六個合伙人，在圣地亞哥成立，公司名字其實是 Quality Communication 的縮寫，意為提供高質量通信。高通公司的起步來自于在 CDMA 技術上不斷游說世界各地政府、企業以及學術研究人員，使得 CDMA 技術在 1993 年 7 月成為了全球標準，1999 年，國際電信聯盟將 CDMA 技術選 做 3G 技術的背后標準，使得高通在行業中的地位被拔高。憑借著核心技術、海量專利以及政府后盾，高通站在整個行業的金字塔頂端，任何需要使用 CDMA 技術的廠商都必須要向高通支付專利費，高通也通過更多的研發來構筑起專利墻。另一方面，高通布局芯片設計領域，2007 年 11 月，高通正式推出了第一款被冠以驍龍名號的產品 QSD8250，也是第一款主頻達到 1GHZ 的移動設備處理器，最終用在了索尼愛立信的 XPERIA X10、谷歌 的 Nexus One 以及 HTC Desire 等經典機型上。后續芯片 MSM8260 被當時的小米手機一代所采用。為了更好地進行市場宣傳工作，高通將旗下的芯片重新劃分為 200、400、600 以及 800 系列，目前旗艦安卓手機大多需要采用高通芯片。由此高通形成了技術許可(QTL) 和半導體芯片(QCT)兩大業務。
保持技術領先，美國半導體廠商大量研發投入鑄就護城河。根據 IC Insights 統計，全球半導體公司研發費用投入前十名中美國公司占據 5 家，其中 2019 年英特爾研發費用高達 133.62 美元，研發投入占營收比例 18.57%，高通達 53.98 億美元，研發投入占營收比例 22.24%。同時根據歐盟委員會于 2019 年公布的全球公司研發投入排名來看，英特爾公司位列全球第六位。雄厚的技術基礎，疊加持續的研發投入帶來正反饋效應，使得美國半導體產業強者恒強，穩居全球產業霸主地位難以撼動。
日本半導體公司在設備、材料領域具有較強優勢。日本的半導體制造產業在 20 世紀 80 年代輝煌一時，在 21 世紀逐步衰退，目前留存的頭部廠商主要針對 NAND Flash、CIS (CMOS 圖像傳感器)、汽車電子、功率分立器件等細分品類，在高端數字電路方面涉足不多。而半導體設備材料廠商由于良好的工業基礎和持續的技術積累，至今仍在全球市場占據非常重要的地位。
半導體設備方面，據 Gartner 的數據顯示，規模以上全球晶圓制造設備商共計 58 家，其中日本企業最多，達到 21 家，占 36%。其中頭部廠商東京電子在刻蝕、薄膜沉積、勻膠顯影等產品有較高份額。愛德萬在自動測試設備、迪恩士在清洗設備均具有較強競爭力。
半導體材料方面，據 SEMI 推測，日本企業在全球半導體材料市場上所占的份額達到 約 52%，而北美和歐洲分別占 15%左右。日本企業在硅片、光刻膠、鍵合引線、模壓樹脂及引線框架等重要材料方面占有極高份額。硅片行業 CR5 為 92%，形成寡占的競爭格局。其中，兩家日本廠商份額合計 52%。光刻膠方面，日本廠商東京應化、JSR、住友化學、富士膠片分別占據 27%、13%、12%、8%份額。電子特氣方面，日本廠商太陽日酸占據 18%份額。拋光液方面，除美國卡博特、陶氏以外，日本日立、富士等全球領先。
(1)20 世紀 60 年代，技術引進期。冷戰期間，為對抗蘇聯美國開始了對日本的大規模援助，由此日本以極低廉的價格獲得了美國大量技術授權，其中就包括晶體管的技術。美國于 1962 年對日本開放當時最先進的集成電路平面制造工藝技術，日本的 NEC 公司從美國仙童半導體公司獲得了集成電路批量制造的技術授權，在日本政府主導下，NEC 又將技術開放給了三菱、京都電氣等公司，由此形成了日本半導體產業雛形。早期的設備材料也多進口自美國，并逐步成立合資公司開始設備國產化：1967 年，日本電氣與 Varian Associates 公司成立合資企業，開始在日本開發生產自動鋁線真空鍍膜設備以及濺射裝置等;日立制作所在 1968 年研究開發離子注入設備。
(2)20 世紀 70 年代，自主發展期。在政府引導下日本成立了 VLSI 聯合研發體，匯聚全國人才，產官學合作共同研發，項目實施 4 年期間共獲得 1000 多項專利，后期技術研發已快于美國，在此階段日本半導體設備國產化進程同時加快。1976 年日本通商產業省從所屬電子技術綜合研究所遴選出具備對 IC 從設計、生產到測試全過程的綜合知識和協調能力的半導體專家，由他們牽頭組織日本最大的五家計算機企業富士通、NEC、日立、東芝和三菱電機組成了“超大規模集成電路技術研究組合” ，其最主要目標是開發為制造最先進的 VLSI 存儲芯片、特別是 64K 和 256K 動態隨機存取存儲器(DRAM)所必需的基礎技術。1K 的 DRAM 和 4K 的 DRAM 是美國最先于 1970 年和 1972 年研制出來的， 16K 的 DRAM 是美、日同在 1976 年研制出來的，64K 的 DRAM(包含約 15 萬個元件，已屬 VLSI 超大規模集成電路產品)是日、美分別在 1977 年和 1979 年研制出來的(市場占有率最大的廠商是日立，意味著日本比美國早兩年進入了 VLSI 時代)，256K 的 DRAM 是日、美分別在 1980 年和 1982 年研制出來的(日本又比美國早了兩年，市場占有率最大 的廠商是 NEC)，1000K(即 256K 的約四倍或 100 萬位)的 DRAM 則是由日本半導體企 業在 1984 年率先研制成功(市場占有率最大的廠商是東芝)。在 1976 年到 1979 年為期 四年計劃中，研究開發費用總額為 737 億日元，政府補助金 291 億日元，占總額的 39.5%。
(3)20 世紀 80 年代，實現趕超期。20 世紀 80 年代初，隨著美國等發達國家計算機行業的發展，對 DRAM 的需求快速增長。由于日制 DRAM 在設計和工藝技術方面領先，在產品質量、價格和交貨時間方面均獲得很高評價，許多美國電腦制造商也開始采用日制 DRAM，導致 80 年代日制 DRAM 在全球市場中所占份額不斷上升，1982 年超過美國，1987 年達到頂峰(80%)。到了 1989 年，日本芯片在全球的市場占有率達到 53%，超過了美國的 37%。
(4)20 世紀 90 年代，進入衰退期。1985 年美國針對日本半導體產業發起第一次 301 調查，于 1986 年達成第一次半導體協議，要求日本擴大外國半導體企業進入日本市場，并監控日本半導體價格情況。1987 年美國再次指責日本向第三國傾銷并征收 100%懲罰性關稅，于 1991 達成簽訂第二次半導體協議，要求日本承諾使美國在日本半導體市場份額提升至 20%。兩次日美半導體協定的簽訂使得日本半導體廠商原來具有的價格優勢喪失，市場份額逐漸受到韓國及中國臺灣新興廠商的侵蝕。20 世紀 90 年代，日本 DRAM 競爭力下滑，相關設備開始轉賣給韓國、中國臺灣企業。2001 年，日本東芝宣布退出通用 DRAM 領域，主攻 NAND 閃存，開展 SoC 研發。此時受數碼相機、音樂播放器等電子產品促進需求，NAND 閃存成為日本半導體產業新支柱。2000 年以后，日系廠商普遍整合、逐步淡出半導體業務。
當前日本仍掌控設備、材料上游領域。盡管日本在芯片設計制造領域失去昔日霸主地位，在上游設備和材料領域依舊占據優勢。日本半導體設備、材料材料廠商在 20 世紀 80 年代跟隨其設計、制造環節崛起，由于上游市場相對更為穩定，且長期量產積累了較充足的產品經驗，并未跟隨下游終端市場的變化而發生衰退。目前日本設備、材料行業仍然在全球具有較強競爭力。
日本產業興起的啟示：政府引導集中資源重視研發，大規模投資生產參與全球競爭。(1)集中研發高投入，從國外引進到自主研發密切結合。日本早期引進美國技術，并在 20 世紀 70 年代由政府引導成立 VLSI 聯合研發體，進行產官學結合的集中式技術研發。(2)參與市場化競爭，成本質量優勢取勝。日本 20 世紀 80 年代半導體崛起一方面是官產學集中研發 DRAM，另一方面通過集中研發后規模化的成本優勢快速滲透美國市場，且質量高于美國產品。(3)下游需求潮流帶動產業的發展。日本半導體產業興起正值大型機時代及家電興起，日本家電的快速發展的需求帶動了半導體的發展。
日美貿易戰自 50 年代持續至 70 年代，范圍涵蓋多個制造類行業。日美貿易戰總體行業范圍較廣，六大行業貿易戰先后涉及紡織品(50~70 年代)、鋼鐵(70~90 年代)、家電(70~80 年代)、汽車(80~90 年代)、電信(80~90 年代)和半導體行業(1978~1996 年)，涉及行業的演進與日本從輕工業、重化工業、高科技產業的不斷升級同步。貿易戰的方式從早期的日本“自愿限制出口”到不得不接受擴大進口、取消國內關稅、開放國內市場、對出口美國的產品進行價格管制、設定美國產品在日本市占率指標等條件。
日本為受到美國“301 調查”最多國家，被迫多次簽訂貿易協議。1982 年，日美兩 國政府在高科技工作小組框架下達成協議，日本政府承諾減少企業的價格傾銷、保護美國 企業的知識產權和專利技術，推動日本企業購買美國的半導體產品。美國 1985 年主導“廣 場協議”，日元被迫大幅升值。1988 年美國啟動“超級 301 條款”。“301 條款”是美國基于國 內法對外國損害其利益的行為采取單邊制裁的條款。根據 USTR 統計，1975~1997 年間 美國共發起了 116 起調查，其中對日本發起 16 起，日本是美國發起“301 條款”調查案最 多的國家。在長期的貿易摩擦中，美國將“301 條款”作為重要的談判工具，迫使日本接 受了自愿出口限制、開放國內市場以及改革國內經濟結構等協議。1985 年美國針對日本半導體產業發器第一次 301 調查，于 1986 年達成第一次半導體協議，要求日本擴大外國半導體企業進入日本市場，并監控日本半導體價格情況。1985 年美國半導體工業協會提出申請，指責日本在半導體領域存在市場準入障礙。USTR 于 1985 年 6 月開始調查，1986 年 6 月兩國達成半導體協議，調查終止。1986 年簽訂的半導體協議為期五年，主要包括兩個內容。(1)日本政府須支持協助外國半導體廠商進入日本市場。要求日本政府成立支持或協助外國半導體生產者在日銷售的專門機構，意在加強日本消費者與外國半導體生產者的溝通和了解。(2)日美政府監控半導體產品價格。要求日本政府監督協議指定對美出口產品的成本和價格，而美國政府擁有隨時開啟反傾銷調查的權利。在這一機制下，日本企業必須將指定產品的成本、出口價格等信息按一定程序提交給通商產業省，通商產業省基于本國法律對低于成本價格的出口產品采取相應措施。這意味著日本的半導體存儲器生產被剝奪了經營的自由，完全置于日美兩國政府的監視之下。
1987 年美國再次指責日本向第三國傾銷并征收 100%懲罰性關稅，于 1991 達成簽訂第二次半導體協議，要求日本承諾使美國在日本半導體市場份額提升至 20%。1987 年 3 月，美國以外資系半導體產品進入日本市場不充分和日本產半導體產品在第三國傾銷為由，指責日本沒有遵守協議，繼而對日本微型計算機等 300 億美元的相關產品征收 100%懲罰性關稅。1989 年美國進一步迫使日本簽訂《日美半導體保障協定》，開放日本半導體產業的知識產權、專利。1991 年日美簽訂五年期的新半導體協定，其中規定日本政府承諾美國半導體產品在日本的市場份額提升至 20%，美國則放棄了第三國傾銷指責。1996 年，在日本半導體市場份額已出現衰退后，日美簽訂了一個為期三年的半導體協議，其中未規定任何數量目標，將成本及價格收集、分析的工作交由世界半導體委員會(WSC)負責。
美國則在貿易戰期間集中推動半導體技術的研發。1987~1988 年，在美國國防部高級研究計劃局的資助下，14 家在美國半導體制造業中居領先地位的企業組成并開始運作“半導體材料技術聯盟”(Sematech)，其宗旨是解決美國半導體企業的共同的制造技術課題(如研發極紫外光刻用的光掩模、光刻膠，以及半導體器件的結構、測試、制造等方面的先進技術)，以恢復在 20 世紀 80 年代中期被日本半導體企業超過的美國半導體產業競爭力。
兩次日美半導體協定的簽訂使得日本半導體廠商原來具有的價格優勢進一步喪失，國內市場則遭受外國廠商人為沖擊。由于日美政府須對日本產半導體產品價格監控，日本企業喪失了自主的市場自由定價權，其半導體產品價格優勢喪失。由于日本向美國承諾美國廠商獲得 20%市場份額，進一步沖擊了日本廠商在國內市場的發展。對于日本半導體企業而言，多項協議條款疊加帶來了惡劣的國內外市場環境。
進入 20 世紀 90 年代以后，日本政府逐漸降低了對日本半導體產業的支持。通過對比日本、韓國和中國臺灣對半導體產業的扶持情況可以發現，即便是到了 2008 年，經過一定程度的改善，日本對半導體產業的扶持力度仍然遠遠小于韓國和中國臺灣，中國臺灣和韓國在企業所得稅比例、設備折舊的年限和設備投資免稅等方面的支持力度都比日本要大得多。主要原因一方面是政府認為日本半導體產業已經實現了趕超美國，能夠離開政府的扶持獨立發展，這也與日本一貫的產業政策思路相一致，同時日本政界左翼勢力抬頭，認為這些優惠措施只便宜了大企業，造成社會不公。另一方面，美國的制裁壓力和泡沫經濟破滅的影響，使得政府還是民間大幅降低了投資的熱情和能力。
啟示：半導體行業特點研發窗口期短、產品迭代快，具有先發優勢的企業“贏家通吃”非常明顯(尤其是重資產企業)，因此“自頂向下”的長期政策支持顯得尤為重要。例如英特爾在 20 世紀 80 年代初的短短幾年時間壟斷了個人電腦微處理器市場，友商在很長一段時間很難超越。缺乏政府的大力支持，半導體企業(尤其制造類)很難靠自身力量克服產業周期，實現連續巨額的技術和設備投資。日本政府支持不利，是日本半導體產業被新興國家和地區超越的一個重要原因。
1976~1979 年間日本政府啟動 VLSI(超大規模集成電路)聯合研發項目，五家企業共同開展研發，促成了快速趕超。1976 年日本通商產業省從所屬電子技術綜合研究所遴選出具備對 IC 從設計、生產到測試全過程的綜合知識和協調能力的半導體專家，由他們牽頭組織日本最大的五家計算機企業富士通、NEC、日立、東芝和三菱電機參與。項目總資金規模達 730 億日元，政府出資 290 億日元，日立、日本電氣(NEC)、富士通、三菱、東芝五大公司共同出資 440 億日元。該研發項目成功提前于美國研制出 64K 至 256K DRAM 芯片，實現了相對于美國的趕超。
80 年代至 90 年代日本五大企業各自為戰，彼此之間造成消耗。1980 年代，日立、日本電氣(NEC)、富士通、三菱、東芝均位于全球半導體企業前列，而 VLSI 聯盟合作則 與1979年結束，日本各大半導體企業之間總體不再開展類似VLSI的大規模聯合研發項目。實質上 VLSI 項目為各家參與企業提供了必要的技術工藝能力基礎，包括專利技術的共享等，而后續的商用產品仍然由各家獨立推出，并相互在國內和國際市場上競爭。1987 年美國政府則聯合英特爾為首的 13 家半導體公司啟動了 SEMATECH 計劃，此計劃幫助美國半導體產業在 1995 年重回世界第一。此計劃一方面是集中研發，減少重復浪費，并在半導體行業內共享研發成果，為企業減輕負擔;另一方面是把半導體制造技術模塊化，使設計與制造分離成為可能，促進了資金規模較小的芯片設計行業大發展。在日本半導體行業逐步衰落后，日本半導體廠商回歸了聯合的思路，1999 年日立與 NEC 為避免兩敗俱傷，聯手成立了爾必達公司，欲通過強強聯手來渡過難關;2003 年該公司又吸收了三菱電機的存儲器部門，而富士通公司和東芝公司則分別于 1999 年和 2001 年退出了通用 DRAM 產品市場。對下游需求和商業模式更迭缺乏敏感，錯過個人 PC 及互聯網大發展，錯過分工式產業模式轉變。日本自身體制僵化主要體現在面對市場需求變化和生產模式變化兩個方面。
(1)對市場潮流的變化缺乏前瞻，不能靈活應對需求。市場潮流由大型計算機逐步轉向個人計算機。1977 年蘋果推出個人電腦 Apple II，1981 年 IBM 發布 IBM-PC，拉開個人計算機時代序幕。20 世紀 80 年代中期，全球計算機市場由大型機向個人計算機轉變。在存儲器(尤其是 DRAM)領域，日本廠商善于精研技術，管理復雜流程，能夠在同等技術條件下把產品做得精益求精。但是，隨著半導體產業不斷向前發展，之前日本廠商擅長的、以大型機為主的一元化市場逐漸轉型，特別是 90 年代以后 DRAM 的用途變得非常廣泛，怎么做產品變得相對不是那么重要，而做什么產品變得越來越重要。遺憾的是日本廠商沒有深刻把握這樣的產業發展脈絡，仍然頑固堅持以往的開發模式，執著于自己企業的設計、細節處理，產品標準化進程緩慢，無法適應下游市場的快速變化。
(2)對生產模式的變化缺乏敏感，頑固堅持原有的一體化生產模式。美國 SEMATECH 計劃造成了整個半導體產業生態的變化，令習慣于自己做全產業鏈并且各自為戰的日本各大綜合電機廠商在競爭中優勢不再，同時，日本廠商經營理念封閉，不能與時俱進的缺點也在此時暴露無遺。中國臺灣廠商則借助這種商業模式的轉化，成功涌現出臺積電、臺聯電等優秀的代工制造企業。
韓國半導體產業主要有兩家支柱企業：三星電子、SK 海力士，主要業務領域集中于存儲器、CIS(CMOS 圖像傳感器)、數字芯片設計和代工。部分配套的設備、材料環節公司也與兩大集團具有密切聯系，如韓國最大的半導體設備公司 SEMES 為三星子公司;韓國最大的半導體硅片公司 SK Siltron 原是 LG 旗下制造硅片的專門企業，2017 年 1 月， SK 集團收購了 LG Siltron 51%的股份，并將其更名為 SK Siltron。
DRAM 市場格局三分天下，韓國企業占七成份額;NAND Flash 前六家廠商份額 98% 以上，韓國企業占四成以上。DRAM 份額由三星、SK 海力士、美光三家瓜分，CR3 達 94.5%。 NAND Flash 份額由三星、鎧俠(原東芝存儲)、西部數據、SK 海力士、美光、英特爾六家占據，CR6 達 98.5%。可見韓國廠商在 DRAM、NAND Flash 兩大類存儲芯片產業地位突出。
持續大量投入，促成產業實現超越。20 世紀 80 年代末，韓國政府推出扶持半導體產業的十年規劃，以每年遞增 25%的速率對半導體開發進行持續投入。1993 年，為開發 256M DRAM 芯片，政府出面成立研究小組，官私共同投資 2.2 億美元。1994 年，韓國三家公司躋身世界半導體公司投資 top10：三星電子設備投資 15.44 億美元，居世界第二位，僅次于英特爾公司;現代公司設備投資 6.95 億美元，居第六位;金星公司設備投資 5.95 億美元，居第十位。
三星依托 DRAM 逆周期投資迅速崛起。歷史經驗來看，三星 DRAM 業務依托政府背書穩居龍頭地位。20 世紀 80 年代 DRAM 市場景氣不佳，到 1986 年底，三星半導體累計虧損達 3 億美元，盡管美日多家公司縮減產能或退出市場，三星仍依靠政府的扶持進行逆周期投資。2000-2010 年間，三星電子從韓國政府獲得的稅收減免共計約 87 億美元。
(2)資金量每年千億計。三星、英特爾、臺積電近五年 Capex 均超 100 億。我國國家集成電路產業投資基金一期于 2014 年成立，五年投資資金約 1387 億人民幣，國家集成電路產業投資基金二期于 2019 年成立，我們預計五年投資規模達 2000 億人民幣。
制造環節帶動設計、材料等環節成熟，當前中國臺灣已形成晶圓代工、IC 設計、封裝測試、材料設備等一系列產業鏈。中國臺灣頭部半導體廠商大多在 20 世紀 80 年代至 90 年代間陸續成立。1995 年，聯電由 IDM 轉型晶圓代工, 將旗下 IC 設計部門分拆出去，成立聯陽、聯杰、聯發、聯詠、聯笙五家 IC 設計公司。其中聯發科從 CD-ROM 芯片組起家，后來轉進手機芯片，在山寨機風潮下獲得豐碩的成果，目前已經是全球前十大 IC 設計廠商;聯詠亦憑借面板驅動芯片產品，躋身全球前十大 IC 設計廠商。當前中國臺灣半導體產業鏈已涵蓋設計、制造、封測、材料設備等全產業鏈環節。
臺積電在晶圓代工市場已獲得 50%份額，高壁壘驅動晶圓代工行業集中度提高。根據 Trendforce，2020 年中國臺灣臺積電在全球晶圓代工廠中一騎絕塵，市占率達 53.9%，韓國三星電子達到 17.4%，其余廠商市占率在 10%以下。先進邏輯工藝目前已經走到 5nm 節點，先進節點開發僅余臺積電、Intel(IDM 模式)、三星(IDM+代工模式)三家，格羅方德、聯電均宣布退出先進制程開發，隨著制程的縮小，晶圓制造廠投資金額呈指數式增長，龐大的資金壓力加速無競爭力晶圓廠關閉。預期未來能成功過渡到更先進制程節點上企業會逐漸減少，市場份額會持續向寡頭大廠集中。
(2)設備壁壘：全球只有 ASML 生產的 NXE3400 系列是唯一支持 7nm 及以下工藝的 EUV 光刻機，單臺機器價值約 1.2~1.5 億美元，ASML 產量有限，與臺積電、英特爾等廠商關系緊密。
(1)20 世紀 60 年代，外資主導的資金引進期，IC 封裝制造為中國臺灣半導體產業切入點，1965 年高雄建立加工出口區，極大地促進了中國臺灣的出口導向性經濟發展模式，由于中國臺灣的廉價而訓練有素的勞動力，Microchip、德州儀器、飛利浦、摩托羅拉等歐美企業開始在高雄設封測廠。
(2)20 世紀 70 年代，政策主導的上游技術引進期，以工研院電子所為主導，政府確定了從海外引進技術發展半導體的計劃，出資 350 萬美元，派遣 40 多位研究人員去美國無線電公司(RCA)學習，全套引進技術，電路設計、光罩制造、晶圓制造、包裝與測試技術。
(3)20 世紀 80 年代，本土企業培植期，1980 年，工研院電子所成立了聯華電子，政府主動投資占股 70%，民企占 30%，為中國臺灣首家半導體公司。1987 年，臺積電成立，張忠謀開辟純晶圓代工新模式。1995 年，臺聯電由 IDM 轉型晶圓代工。逐步形成上游 IC 設計，中游代工制造，下游封裝測試的產業格局。
(4)21 世紀，伴隨移動終端需求，產業騰飛。臺積電的晶圓代工模式實際更具備規模效應和技術平臺優勢，有利于抓住新興客戶需求，共同成長。2010 年后，伴隨著以 iPhone 為首的智能手機崛起，臺積電抓住了蘋果公司等大客戶機遇，在移動終端時代分享了行業快速增長的紅利，并由此成為行業龍頭，得以挑戰英特爾行業地位。臺積電的崛起也相應為本土設計公司成長提供了良好土壤，并帶來封測、設備、材料環節的協同成長。
市場需求牽引形成巨幅缺口，集成電路亟待國產崛起。根據海關總署數據，2020 年中國集成電路進口金額達 3500.36 億美元，同比增長 14.6%，首度突破 3500 億美元。2015 年起集成電路超過原油連續六年占據我國進口商品第一大品類，2020 年占我國進口總額的 17.03%，同比增加 2.33pcts。大量的進口依賴表明我國集成電路需求龐大，國產替代空間巨大。另一方面，集成電路產業已成為經濟和社會發展的先導性和支柱性產業，沒有芯片就沒有安全，我國發展集成電路自主可控的意愿極為迫切。
國內集成電路產值 CAGR 預計 13.7%，自給率不足 16%。根據 IC Insights，2020 年中國集成電路自給率為 15.9%，預計 2020 年到 2025 年中國集成電路產值 CAGR 為 13.7%，市場規模 CAGR 為 9.2%，由此測算到 2025 年自給率為 19.4%，仍然較低。由此可見實現自主可控是以十年計的長期過程，預計國內集成電路行業將長期保持較高成長性，板塊具備相對活躍的基礎。
上世紀六十年代左右，中國大陸已經形成半導體工業體系雛形。以中科院半導體所為代表的大批研究機構+全國建設數十家電子廠形成了當時中國半導體工業體系雛形。同時期日本在美國扶持下，通過官產學聯合形式，引進美國技術，建立了初步半導體工業體系。
八十年代，國內電子產業遭受猛烈的外部沖擊。八十年代中國電子企業均為國營，由經營困難無法支撐研發，只能引進國外落后淘汰的二手生產線，由此中國半導體行業不僅落后于美日，也逐漸被半導體產業新興的韓國和中國臺灣地區超過。
1986 年“七五”計劃期間提出 531 戰略。1986 年原電子部在廈門集成電路發展戰略研討會期間針對“七五”計劃提出 531 戰略，即普及 5 微米技術、研發 3 微米技術，進行 1 微米技術科技攻關。“七五”期間重點建設了五個主干企業，分別為無錫華晶電子(現華潤華晶)、紹興華越微電子、上海貝嶺微電子、上海飛利浦半導體(現上海先進半導體)和首鋼日電電子(首鋼 NEC)。1986 年北京集成電路設計中心(現華大集成電路設計中心)成立，開創中國集成電路設計先河。
1990 年針對“八五”計劃組織“908 工程”。1990 年 8 月，國家計委和機電部在北京聯合召開座談會，中央決定實施 908 工程，其承擔主體為無錫華晶。國家為 908 工程集中投資 20 多億元，目標是在無錫華晶建成一條月產 1.2 萬片、6 英寸、0.8-1.2 微米的芯片生產線。但由于審批時間過長，工程從開始立項到線 年華晶生產線正式建成時，華晶的技術水平已大大落后于國際主流技術達四至五代。月產僅 800 片左右，投產當年即虧損 2.4 億元。在此情況下，從 1998 年 2 月起，華晶將部分設備租給香港上華半導體公司。合作一年半后，1999 年 8 月，華晶和上華合作的工廠轉制為合資公司無錫華晶上華半導體公司，上華持股 51%，華晶 49%。為了處置華晶的這部分不良資產，信達資產管理公司引入了華潤集團。2002 年 9 月香港華潤集團(簡稱華潤)正式宣布完成收購華晶，將其轉制為無錫華潤微電子有限公司。
1995 年組織“909 工程”。在“909”工程之前，中國在自主發展集成電路產業的道路上發起過多次沖擊，但大規模生產線始終未能進入良性循環，集成電路產業鏈也遠沒有形成。1995 年，原電子部向國務院提交了《關于“九五”期間加快我國集成電路產業發展的報告》。1996 年 3 月，“大規模集成電路芯片生產線”項目正式獲得批復立項。1996 年，上海華虹微電子有限公司正式成立，隨后華虹與日本 NEC 公司合作組建上海華虹 NEC，成為“909”工程的主要承擔企業。
“909 工程”為國內集成電路產業奠定華虹、華大等早期中堅力量。華虹 NEC 于 1997 年 7 月 31 日開工建廠，1999 年 2 月完工，投產之時正趕上全球芯片市場的黃金時機，2000 年就取得銷售額 30.15 億元的不菲成績，利潤達到 5.16 億元。但在 2001 年，全球半導體市場低迷，華虹 NEC 全年虧損 13.84 億元。雖然遭遇了 2001 年的大虧損，華虹隨后幾年營運表現突出。到 2005 年 6 月，華虹已經完成并超過了當初立項的所有目標。華虹 NEC 的 8 英寸生產線實現了自主經營，由華虹控股的上海集成電路研發中心已掌握 0.13 微米 面向大生產的標準 CMOS 工藝技術，自主創新能力初步形成。
2000 年張汝京創辦中芯國際，建成國內最大晶圓代工廠。張汝京曾就職于德州儀器，先后在美國、新加坡、日本、中國臺灣等地建造并管理近 20 座晶圓工廠。1997 年張汝京回到中國臺灣創辦世大半導體，是繼臺積電、聯華電子之后中國臺灣第三家晶圓代工廠。 2000 年 1 月，世大半導體被大股東作價 50 億美元賣給臺積電。2000 年 4 月，張汝京從中國臺灣來到中國大陸，在上海創辦中芯國際，目標是成為世界一流的晶圓代工廠。在上海實業、華登國際的大規模資金支持下，中芯國際僅用兩年時間在上海建設了三條 8 寸生產線，隨后又買下摩托羅拉在天津的一座 8 寸廠。然而中芯國際在 2003 年因為知識產權問題與臺積電展開了長達 6 年的專利訴訟。2009 年 11 月，臺積電勝訴。兩家公司隨即宣布和解，中芯國際向臺積電支付 2 億美金，并向臺積電發行股份及授予認股權證，張汝京自此離開中芯國際。此后盡管經歷了長期低迷，2011 年中芯國際成功實現扭虧為盈，目前已成為中國晶圓代工龍頭公司。晶圓代工廠的成立為眾多設計公司的創立奠定了基礎。2000 年之后，大批人才創辦芯片設計企業，為中國集成電路產業注入新活力。伴隨國內半導體代工制造體系的建立，大批芯片設計企業涌現，其中大多為歸國人才以及改革開放后培養的理工科人才，例如 2001 年武平、陳大同等人歸國創立展訊通信、國內技術出身的張帆創立匯頂科技，2002 年戴保家、魏述然歸國創立銳迪科，2003 年中興微電子成立，2004 年華為海思、瀾起科技成立，朱一明歸國創立兆易創新。這其中不乏華為海思、展訊、銳迪科等成長為現今全球領先的芯片設計企業。正是有了這些機制靈活、數量眾多的芯片設計公司參與到全球產業鏈分工和競爭中去，中國的集成電路產業在 2000 年之后獲得了新鮮血液與活力。
政策密集頒布，集成電路位列首位凸顯重視。近年來集成電路相關扶持政策密集頒布，從綱領性文件來看，《國家中長期科學和技術發展規劃綱要(2006-2020 年)》將集成電路相關的 01、02 專項作為 16 個重大專項前兩位，《中國制造 2025》將“集成電路及專用裝備”置于首個重點領域“新一代信息技術產業”中的首位，《2018 年政府工作報告》指出“加快制造強國建設。推動集成電路、第五代移動通信、飛機發動機、新能源汽車、新材料等產業發展”，將集成電路放至首位，足見政策重視程度。同時政策以十年維度設立了遠大目標，《國家集成電路產業發展推進綱要》定調“設計為龍頭、制造為基礎、裝備和材料為支撐”，目標到 2020 年，集成電路產業銷售收入年均增速超過 20%;到 2030 年，集成電路產業鏈主要環節達到國際先進水平，一批企業進入國際第一梯隊，實現跨越發展。
產業基金、金融支持、稅收支持等多維度創造黃金市場環境。從具體政策措施來看，設立國家產業投資基金、加大金融支持力度、落實稅收支持政策、加強推廣應用等是主要政策手段，政策范圍已經涵蓋了集成電路從設計到制造、封裝測試、裝備材料的全產業鏈環節。《國家集成電路產業發展推進綱要》提出政策性銀行及商業銀行加強信貸支持，提供支持集成電路企業在境內外上市融資、發行各類債務融資工具等金融服務。2020 年 8 月 4 日，國務院發布《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》，制定出臺財稅、投融資、研究開發、進出口、人才、知識產權、市場應用、國際合作等八個方面政策措施。根據《集成電路產業“十三五”發展規劃》，培育龍頭骨干企業、突破核心技術環節仍然是重點任務，因此我們認為未來核心龍頭企業仍能夠獲得較多扶持與優惠，利于突破式發展。
“產業+資本”成為產業發展重要手段，集成電路產業基金累計支持資金超過 7000 億元。2014 年 10 月，中國成立國家集成電路產業投資基金(簡稱“大基金”)，“大基金”首批規模達到 1387 億元，加之超過 6000 億元的地方基金以及私募股權投資基金，以千億元基金撬動萬億元資金投入集成電路行業。國家集成電路大基金一期累計項目投資額 1387 億元，已實施項目涵蓋 IC 產業上、下游，制造、設計、封測、設備材料等產業鏈各環節投資比重分別是 63%、20%、10%、7%。2019 年 10 月，國家集成電路產業基金二期成立，我們預計五年投資規模達 2000 億人民幣。
過去十幾年間中國在全球消費電子產業中的地位不斷提升，經歷了從生產低附加值零件、為國外終端品牌代工到切入高附加值生產環節、國內終端品牌躋身世界前列的轉變。現狀來看，中國目前是全球最大消費電子出口國，2019 年中國智能手機產量占全球比重 近 90%，不僅消化國內龐大需求，更出口七成國內智能手機供應全球市場。中國消費電子產業的崛起起初得益于人口紅利吸引外資，后期隨著國家技術創新能力提升，產業配套趨于完善，逐漸形成全球對中國消費電子生產能力高度依存的局面。
價值量來看，中國智能手機產量占全球比重近 90%，不僅消化國內龐大需求，更出口七成國內智能手機供應全球市場。過去十余年，我國電子信息制造業在全球分工紅利、智能終端發展浪潮的推動下，一直保持高速增長，麥肯錫《中國與世界：理解變化中的經濟聯系》報告中指出，中國計算機和電子產品制造業產值占全球總產值的比重由 2003-2007 年的 21%增長到了 2013-2017 年的 44%，增速可觀;2010 年時，HOVM 四家中國手機廠商在全球智能手機市場僅占 0.6%份額，2019 年已提升至 41.7%，地位提升顯著。目前，需求方面，中國已是全球第一大電子產品消費國。調研公司 Canalys 數據顯示，2012Q1 中國首次超越美國成為全球最大智能手機市場，之后一直穩坐第一名。2019 年中國智能手機銷量 3.77 億部，約占全球總出貨量的 27.5%。生產方面，中國為世界第一大智能手機生產、出口國。2019 年全球智能手機出貨量為 13.71 億臺，中國出貨 12.27 億臺，占 比高達 89.5%，排名前五的廠商中，中國占據三席，分別是排名第二/第四/第五的華為/小米/OPPO。消費電子生產能力更遠勝消費能力，17/18/19 年中國地區智能手機銷售量占出貨量比重分別為 31%/30%/31%，約七成國內出貨智能手機用于出口，滿足世界范圍電子產品需求，在全球消費電子貿易中占舉足輕重地位。
美國對華為制裁進一步加速了半導體產業鏈國產化的進程。2019 年 5 月 16 日，美國商務部將華為納入實體清單，美國技術含量超過 25%的產品均需向美國商務部申請許可證;此后在 2020 年 5 月 15 日和 8 月 17 日，美國商務部兩次更新政策，所有含美國技術的產品對華為出口均需申請許可證，該制裁指向華為海思的定制芯片和手機主芯片標準品采購。華為方面應對措施包括：(1)前期大量存貨。在 2018 年中興通訊被美國列入拒絕清單之后，華為就已經開始做相應準備。2018 年華為的存貨大幅增加，其中主要增加的是原材料，占存貨的比例達到近年的峰值 37.5%。(2)供應鏈切換，華為從十幾年前就開始儲備 BCM(Business Co
ntinuity Management)計劃，考慮在上游不能保證供貨的極端情況下依然能夠實現業務的持續性，具體落實而言包括非美國廠商切換和自主研發。我們觀察到自 Mate30 Pro 手機開始，華為已積極替換手機中的美國廠商芯片，轉用自研或本土廠商產品，從而加速國產芯片廠商的成長。中長期來看，中美科技分叉，產業加速閉環，美國對中國的科技制裁預計長期不變的大趨勢，國內半導體廠商當前正處于發展的“黃金十年”產業諫言：從海外經驗看中國半導體發展策略
從海外經驗諫言國內產業發展和投資策略。從美日韓臺的半導體產業發展歷史可以總結出，政府政策引導、優秀人才培養、下游產業集群、持續資金投入是不可或缺的要素。從海外經驗觀察，中國半導體處在奮起追趕的發展黃金窗口期，產業發展任重道遠。應尊重行業發展客觀規律，創造良好的基礎教育以及創業、經營環境，避免急功近利。
從細分行業看：(1)制造等偏重資產領域：應學習國外經驗持續逆周期投資，中長期看好國內龍頭企業。制造、設備材料、封測類公司重資產屬性強，需要長期資金投入，全球龍頭穩固，需經歷較長時間追趕，類比海外經驗，此類領域需集中資源加強產業扶持，并不單純從盈利角度衡量得失。對于地方重資產制造類項目建設警惕“大水漫灌”，避免過剩風險;應當重點關注產業基金扶持的龍頭企業，對此類產業投資適合中長期持有。(2)設計等輕資產領域：應學習友邦經驗，利用中國大陸消費電子等產業集群優勢“良性內循環”，鼓勵終端廠商使用國產芯片;以市場導向，合理扶持，避免過度保護，維護國內公司公平競爭實現優勝劣汰和快速發展。預計 IC 設計仍將是中國未來 10 年成長最蓬勃的半導體領域，下游需求將顯著提升并且催化國產替代明確需求。從充分市場良性競爭中誕生的設計公司更具備活力和長期生命力，應鼓勵下游積極推進國產化替代，引導良性市場競爭，避免過度扶持。投資角度建議重點關注具備全球競爭力的細分市場龍頭公司。
